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  • 硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm

    硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產(chǎn)生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR),以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型,有效面積:Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。

    更新時間:2024-12-06
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  • 200um InGaAs APD Chip φ200um(銦鎵砷)

    200um InGaAs APD Chip φ200um(銦鎵砷) InGaAs雪崩光電二極管(APD)芯片

    更新時間:2025-10-29
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  • 1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W)

    1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W) 產(chǎn)品應用 ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監(jiān)控等精密測量系統(tǒng)

    更新時間:2024-12-05
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  • 硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18

    硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm,適合于生物醫(yī)學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構,可在400和1000 nm之間提供高響應度,以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。

    更新時間:2024-12-05
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  • 905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46)

    905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑:0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管,光譜響應范圍從可見光到近紅外,峰值響應波長905nm。大光敏面,高速響應,高增益,低噪聲。

    更新時間:2024-12-05
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