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當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心光學(xué)有源器件增益芯片激光器增益芯片 780nm (調(diào)諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW)

激光器增益芯片 780nm (調(diào)諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

激光器增益芯片 780nm (調(diào)諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW)
產(chǎn)品總覽
增益芯片是用作外腔半導(dǎo)體激光器或可調(diào)諧二極管激光器增益介質(zhì)的半導(dǎo)體元件。

產(chǎn)品型號(hào):
更新時(shí)間:2024-12-05
廠商性質(zhì):經(jīng)銷(xiāo)商
訪問(wèn)量:2380
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組件類(lèi)別光學(xué)元件應(yīng)用領(lǐng)域綜合

激光器增益芯片 780nm (調(diào)諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW) 

產(chǎn)品總覽

增益芯片是用作外腔半導(dǎo)體激光器或可調(diào)諧二極管激光器增益介質(zhì)的半導(dǎo)體元件。增益芯片被用作TLS(可調(diào)諧光源),它可以使用波長(zhǎng)選擇濾波器(如衍射光柵)來(lái)改變振蕩波長(zhǎng)。增益芯片類(lèi)似于激光二極管芯片,不同的是它在一個(gè)或兩個(gè)端面上都有較深的抗反射涂層,大大提高或消除了自激閾值。

通用參數(shù)

使用衍射光柵的外腔激光器有兩種:Littrow型和Littman/Metcalf型。Littrow型衍射光柵的初級(jí)衍射光直接反饋到半導(dǎo)體激光器中,通過(guò)與垂直端面的低反射膜(LR)共振來(lái)實(shí)現(xiàn)振蕩。由于衍射只進(jìn)行一次,因此獲得比Littman型更大的光學(xué)輸出。


通過(guò)旋轉(zhuǎn)光柵來(lái)掃描波長(zhǎng)。一般來(lái)說(shuō),采用腔內(nèi)消色差透鏡對(duì)光柵上較大面積的擴(kuò)展光束進(jìn)行準(zhǔn)直。零級(jí)衍射光束可以作為輸出激光束。Innvolume 增益芯片的產(chǎn)品線可細(xì)分為兩大類(lèi):

•單面光接入(類(lèi)型A和B)

•雙面光接入(類(lèi)型C和D)


在輸出功率從外腔向外耦合的方案中,單邊光纖接入增益芯片是理想的工作元件。通常,它們的封裝形式是晶體管外形罐。雙邊光纖接入增益芯片可用于從增益芯片端面進(jìn)行功率輸出耦合以減少光損耗的方案中,或用于光放大方案中。


A型增益芯片具有垂直于端面的直條紋,具有高反射和抗反射涂層。這是構(gòu)造外腔二極管激光器性?xún)r(jià)比的解決方案。A型增益芯片具有對(duì)稱(chēng)的光束遠(yuǎn)場(chǎng),使用高數(shù)值孔徑的非球面透鏡,提供與外腔和后腔的有效耦合。與其他類(lèi)型相比,這種類(lèi)型的增益芯片具有相對(duì)較低的增益譜紋波抑制,這是由于抗反射涂層的反射率在0.1%的水平上,并且可以通過(guò)彎曲條紋到端面的設(shè)計(jì)來(lái)進(jìn)一步降低反射率。


B型增益芯片具有彎曲條紋,正常側(cè)為高反射率,傾斜側(cè)為深反射率涂層。彎曲的條紋和抗反射涂層提供極低的反射率(< 10E-5),允許抑制自激光和最小化增益起伏。彎曲條紋的缺點(diǎn)是輸出光束的畸變,這使準(zhǔn)直變得困難,并降低了反向耦合的效率。故必須使用高數(shù)值孔徑的光學(xué)器件。


C型增益芯片在傾斜側(cè)有彎曲條紋和抗反射涂層,在正常側(cè)有百分之幾的反射率。波長(zhǎng)選擇反饋必須設(shè)置在傾斜側(cè)(與B型的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)相同),而輸出功率則從正常側(cè)進(jìn)行輸出。這種設(shè)計(jì)使得輸出功率高,輸出光束較好。帶正常條紋的端面反射必須根據(jù)系統(tǒng)配置和所需輸出功率分別進(jìn)行設(shè)計(jì)。


D型增益芯片有一個(gè)傾斜條紋,兩側(cè)均有抗反射涂層,通常適用于需要內(nèi)置放大單元的優(yōu)良光學(xué)方案。創(chuàng)新的刻面涂層技術(shù),包括刻面鈍化,滿(mǎn)足高可靠性要求。符合ISO9001:2008的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),是基于精心設(shè)計(jì)制造和廣泛測(cè)試的結(jié)果。每個(gè)設(shè)備都經(jīng)過(guò)單獨(dú)測(cè)試,并附帶一組測(cè)試數(shù)據(jù)。




激光器增益芯片 780nm (調(diào)諧范圍40nm 外腔功率輸出30mW) 




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