2.5-6.5um MCT碲鎘汞中紅外非制冷光電探測器 PVI系列

PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數，使其具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性

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更新時間：2024-12-05

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產品分類

光電探測器

探測器芯片超快光電探測器/EOT 單光子探測器/計數器其他光電探測器 Ge鍺光電探測器 Ge鍺光電二極管砷化銦InAs/銦砷銻InAsSb InP磷化銦光電探測器 Si硅光電探測器 Si硅光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電二極管 InGaAs銦鎵砷光電探測器 MCT碲鎘汞探測器

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品牌	其他品牌	產地類別	進口
應用領域	化工,能源,建材/家具,電子/電池

2.5-6.5um MCT碲鎘汞中紅外非制冷光電探測器 PVI系列

PVI系列是基于復雜的MCT異質結構的非制冷紅外光電探測器，采用光學浸沒的方式提高器件的性能參數，使其具有優秀的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到它本身能達到的的最佳性能。起始波長可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

光譜響應

2.5-6.5um

技術參數

產品特點

● 可探測中紅外光波范圍2.5-6.5μm

● 可配專用前置放大器

● 提供TO39與BNC兩種封裝形式

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現光學浸沒，有效提升探測效率

產品應用

● 熱成像

● FTIR光譜學

● 激光外差探測

● 中紅外氣體分析

參數	探測器型號
參數	PVI-3	PVI-3.4	PVI-4	PVI-5	PVI-6
有源元件材料	外延MCT異質結構
最佳波長λopt（μm）	3	3.4	4	5	6
相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥5.0×1010	≥3.0×1010	≥1.5×1010	≥8.0×109
相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W	≥5.0×1010	≥4.5×1010	≥2.0×1010	≥9×109	≥4.0×109
電流響應度Ri(λopt),A/W	≥0.5	≥0.8	≥1.0	≥1.0	≥1.0
時間常數T，ns	≤350	≤260	≤150	≤120	≤180
電阻×光敏面面積R·A,	≥100	≥50	≥6	≥1	≥0.2
感光面尺寸A,mm×mm	0.5×0.5，1×1
	TO39,BNC
接收角?	～36°
窗口	無